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對抗價格暴跌美光減產(chǎn)NAND和DRAM

來源：中關(guān)村在線　2022-11-22 05:36:33

(資料圖片)

由于對商品存儲器的需求迅速惡化和價格下跌，美光公司正在削減3D NAND和DRAM的晶圓開工量，與上一季度相比立即減少20%。該公司現(xiàn)在預(yù)計其3D NAND比特產(chǎn)出在下一個日歷年增長不明顯，而其DRAM比特產(chǎn)出將在2023年減少。

為了應(yīng)對3D NAND和DRAM內(nèi)存需求的放緩，美光公司將比2022財年第四季度（截至2022年9月1日）減少約20%的晶圓啟動。削減將在美光用于大批量生產(chǎn)的所有技術(shù)節(jié)點上進行，因此基本上該公司正在削減其幾乎所有類型產(chǎn)品的產(chǎn)量。

美光正在進行的2023財年第一季度在12月初結(jié)束，所以今天削減晶圓的開工率對該公司該季度的業(yè)績或市場幾乎不會產(chǎn)生有意義的影響。由于3D NAND和DRAM的生產(chǎn)和測試/包裝周期都相當長，市場將在幾周后感受到美光削減的影響。同時，現(xiàn)貨價格可能會更早地對美光的公告做出反應(yīng)。

但目前的晶圓開工削減將對該公司整個2023財年的產(chǎn)出產(chǎn)生影響，因為美光預(yù)計其DRAM位產(chǎn)出將下降，而3D NAND位產(chǎn)出將在"個位數(shù)百分比范圍內(nèi)增長。

美光今年夏天啟動了232層3D NAND存儲器的生產(chǎn)，今天早些時候開始在其1β（1-beta）制造工藝上制造LPDDR5X存儲器。這兩個新的生產(chǎn)節(jié)點將使美光減少成本并提高比特產(chǎn)出，但該公司在9月底警告說，它將減緩232層3D NAND和1β DRAM的生產(chǎn)速度，以限制比特產(chǎn)出。美光的232層3D NAND器件具有2400MT/s的接口，將實現(xiàn)PCIe 5.0 x4接口的最快固態(tài)硬盤，其12.4GB/s的連續(xù)讀取速度將超過目前的最佳固態(tài)硬盤。

美光公司還在9月披露，其2023財年的資本支出總額約為80億美元，比2022財年下降30%。削減主要涉及采購新的晶圓廠設(shè)備，這將放緩該公司最新制造技術(shù)的采用。由于該公司正在建設(shè)其在愛達荷州的新工廠，該公司的建筑資本支出預(yù)計將增加一倍以上。今天，該公司說它正在 "努力實現(xiàn)額外的資本支出削減"，但沒有詳細說明。

"美光公司正在采取大膽和積極的措施，減少比特供應(yīng)的增長，以限制我們的庫存規(guī)模，"美光公司首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra說。"我們將繼續(xù)監(jiān)測行業(yè)狀況，并根據(jù)需要做出進一步調(diào)整。盡管有近期的周期性挑戰(zhàn)，我們對我們市場的世俗需求驅(qū)動力仍有信心，從長遠來看，預(yù)計內(nèi)存和存儲收入的增長將超過半導體行業(yè)的其他部分。"

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